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SDR | Hynix 显示内存芯片
       SK hynix SDR非常适用于需要大的存储密度和高带宽的主存储器应用。
       SK hynix DDR提供参考时钟的上升沿和下降沿完全同步操作。所有输入和输出电压电平兼容LVTTL。所有型号支持3.3V VDD及 VDDQ。

       以下是hynix SDR 型号一览:

容量 ORG. 速度 型号 封装 特性 量产
256Mb 32M x 8 166MHz H57V2582GTR-60C TSOPII(54pin) 4Bank,3.3V EOL
256Mb 32M x 8 133MHz H57V2582GTR-75C TSOPII(54pin) 4Bank,3.3V EOL
256Mb 16M x 16 200MHz H57V2562GTR-50C TSOPII(54pin) 4Bank,3.3V EOL
256Mb 16M x 16 166MHz H57V2562GTR-60C TSOPII(54pin) 4Bank,3.3V EOL
256Mb 16M x 16 166MHz H57V2562GFR-60C FBGA(54ball) 4Bank,3.3V EOL
256Mb 16M x 16 143MHz H57V2562GTR-70C TSOPII(54pin) 4Bank,3.3V EOL
256Mb 16M x 16 143MHz H57V2562GFR-70C FBGA(54ball) 4Bank,3.3V EOL
256Mb 16M x 16 133MHz H57V2562GTR-75C TSOPII(54pin) 4Bank,3.3V EOL
256Mb 16M x 16 133MHz H57V2562GFR-75C FBGA(54ball) 4Bank,3.3V EOL
256Mb 8M x 32 166MHz H57V2622GMR-60C FBGA(90ball) 4Bank,3.3V EOL
256Mb 8M x 32 133MHz H57V2622GMR-75C FBGA(90ball) 4Bank,3.3V EOL
128Mb 8M x 16 200MHz H57V1262GTR-50C TSOPII(54pin) 4Bank,3.3V EOL
128Mb 8M x 16 200MHz H57V1262GFR-50C FBGA(54ball) 4Bank,3.3V EOL
128Mb 8M x 16 166MHz H57V1262GTR-60C TSOPII(54pin) 4Bank,3.3V EOL
128Mb 8M x 16 166MHz H57V1262GFR-60C TSOPII(54pin) 4Bank,3.3V EOL
128Mb 8M x 16 143MHz H57V1262GTR-70C TSOPII(54pin) 4Bank,3.3V EOL
128Mb 8M x 16 143MHz H57V1262GFR-70C TSOPII(54pin) 4Bank,3.3V EOL
128Mb 8M x 16 133MHz H57V1262GTR-75C TSOPII(54pin) 4Bank,3.3V EOL
128Mb 8M x 16 133MHz H57V1262GFR-75C TSOPII(54pin) 4Bank,3.3V EOL
扩展了解:DDR2 | DDR3 | eMMC | LPSDR | LPDDR | LPDDR2 |
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Hynix(海力士)官网发布的行业动态(2025年1月9日更新)
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