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DDR | Hynix 显示内存芯片
       SK hynix DDR 非常适用于需要大的存储密度和高带宽的主存储器应用。
       SK hynix DDR提供参考时钟的上升沿和下降沿完全同步操作。数据路径内部流水线和2位预取达到非常高的带宽。所有输入和输出电压电平兼容与SSTL_2。

       以下是hynix DDR3 型号一览：

容量 ORG. 速度 型号 封装 特性 量产
512Mb 64MX8 DDR 400 H5DU5182ETR-E3C TSOPII(66pin) 4Bank,2.6V, 3-3-3 EOL
512Mb 64MX8 DDR 400 H5DU5182EFR-E3C FBGA(60ball) 4Bank,2.6V, 3-3-3 EOL
512Mb 64MX8 DDR 333 H5DU5182ETR-J3C TSOPII(66pin) 4Bank, 2.5V, CL2.5 EOL
512Mb 64MX8 DDR 333 H5DU5182EFR-J3C FBGA(60ball) 4Bank, 2.5V, CL2.5 EOL
512Mb 64MX8 DDR 266 H5DU5182ETR-K3C TSOPII(66pin) 4Bank, 2.5V, CL2.5 EOL
512Mb 64MX8 DDR 266 H5DU5182EFR-K3C FBGA(60ball) 4Bank, 2.5V, CL2.5 EOL
512Mb 32Mx16 DDR 400 H5DU5162ETR-E3C TSOPII(66pin) 4Bank,2.6V, 3-3-3 EOL
512Mb 32Mx16 DDR 400 H5DU5162EFR-E3C FBGA(60ball) 4Bank,2.6V, 3-3-3 EOL
512Mb 32Mx16 DDR 333 H5DU5162ETR-J3C TSOPII(66pin) 4Bank, 2.5V, CL2.5 EOL
512Mb 32Mx16 DDR 333 H5DU5162EFR-J3C FBGA(60ball) 4Bank, 2.5V, CL2.5 EOL
512Mb 32Mx16 DDR 266 H5DU5162ETR-K3C TSOPII(66pin) 4Bank, 2.5V, CL2.5 EOL
512Mb 32Mx16 DDR 266 H5DU5162EFR-K3C FBGA(60ball) 4Bank, 2.5V, CL2.5 EOL
256Mb 32Mx8 DDR 400 H5DU2582GTR-E3C TSOPII(66pin) 4Bank, 2.5V, 3-3-3 EOL
256Mb 32Mx8 DDR 333 H5DU2582GTR-J3C TSOPII(66pin) 4Bank, 2.5V, CL2.5 EOL
256Mb 32Mx8 DDR 266 H5DU2582GTR-K3C TSOPII(66pin) 4Bank, 2.5V, CL2.5 EOL
256Mb 16Mx16 DDR 500 H5DU2562GTR-FAC TSOPII(66pin) 4Bank, 2.5V, 4-4-4 EOL
256Mb 16Mx16 DDR 400 H5DU2562GTR-E3C TSOPII(66pin) 4Bank, 2.5V, 3-3-3 EOL
256Mb 16Mx16 DDR 400 H5DU2562GFR-E3C FBGA(60ball) 4Bank, 2.5V, 3-3-3 EOL
256Mb 16Mx16 DDR 333 H5DU2562GTR-J3C TSOPII(66pin) 4Bank, 2.5V, CL2.5 EOL
256Mb 16Mx16 DDR 333 H5DU2562GFR-J3C FBGA(60ball) 4Bank, 2.5V, CL2.5 EOL
256Mb 16Mx16 DDR 266 H5DU2562GTR-K3C TSOPII(66pin) 4Bank, 2.5V, CL2.5 EOL
256Mb 16Mx16 DDR 266 H5DU2562GFR-K3C FBGA(60ball) 4Bank, 2.5V, CL2.5 EOL
128Mb 8Mx16 DDR 500 H5DU1262GTR-FBC TSOPII(66pin) 4Bank, 2.5V, 4-3-3 EOL
128Mb 8Mx16 DDR 400 H5DU1262GTR-E3C TSOPII(66pin) 4Bank, 2.5V, 3-3-3 EOL
128Mb 8Mx16 DDR 333 H5DU1262GTR-J3C TSOPII(66pin) 4Bank, 2.5V, CL2.5 EOL
扩展了解：DDR2 | DDR3 | eMMC | LPSDR | LPDDR | LPDDR2 |
Hynix（海力士）全球现货供应链整合专家
Hynix（海力士）官网发布的行业动态（2025年1月9日更新）
  • SK Hynix（海力士）宣布推出全球首款超高速、高容量 DDR5 DRAM
  • 受华为的需求，海力士 NAND 销售额在五年内将增加两倍以上
  • SK Hynix（海力士）宣布计划将韩国 200mm 晶圆产线移至中国，以代工中低端产品
  • SK Hynix宣布安装极紫外光刻机，用于为苹果、高通等代工最新的智能手机处理器
  • SK Hynix宣布成功研发出基于三层储存单元的 176 层堆栈 512Gb NAND 快闪存储器
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