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Hynix（海力士） 闪存·NAND Flash 主要产品
SK hynix Nand Flash的电源电压范围为1.8～3.6V，功耗低，TSOP封装，体积小，目前最大单片容量可达512Gb，按页读写，按块擦除。...
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这回 SK 海力士所新推出的第三代 4D NAND 快闪存储器，该公司在介绍时提到产品性能达到业界最高水平，比起上一代的 128 层堆栈产品，生产率提高 35% 以上，也随之拉高在成本方面的竞争力。...
使用 SK 海力士 1Y nm 生产技术制造的首批产品将是其 8Gb DDR4-3200 内存芯片。...
HBM2E 拥有超高速、高容量、低能耗等特性，是适合深度学习加速器、高性能计算机等需要高度计算能力的新一代人工智能（AI）系统的存储器解决方案。...
Hynix（海力士）热销器件（2025年1月9日更新）
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Hynix海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的内存芯片等半导体产品，也是全球第二大 NAND 闪存制造商
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