SK hynix 所有DDR2 内存均采用FBGA封装形式，而不同于广泛应用的TSOP/TSOP-Ⅱ封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。

       在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2 内存拥有两倍于标准DDR 内存的4 bit预读取能力。换句话说，虽然DDR2 和DDR 一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2 拥有两倍于DDR 的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR 的实际频率为200MHz，而DDR2 则可以达到400MHz。

       DDR2 内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR 的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2 可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。

       以下是hynix DDR2 型号一览：

容量 ORG. 速度 型号 封装 特性 量产

1Gb 128Mx8 DDR2 1066 H5PS1G83JFR-G7C FBGA(60ball) 8Bank, 1.8V, 7-7-7 Now

1Gb 128Mx8 DDR2 800 H5PS1G83JFR-S5C FBGA(60ball) 8Bank, 1.8V, 5-5-5 Now

1Gb 128Mx8 DDR2 667 H5PS1G83JFR-Y5C FBGA(60ball) 8Bank, 1.8V, 5-5-5 Now

1Gb 128Mx8 DDR2 533 H5PS1G83JFR-C4C FBGA(60ball) 8Bank, 1.8V, 4-4-4 Now

1Gb 64Mx16 DDR2 1066 H5PS1G63JFR-G7C FBGA(84ball) 8Bank, 1.8V, 7-7-7 Now

1Gb 64Mx16 DDR2 800 H5PS1G63JFR-S5C FBGA(84ball) 8Bank, 1.8V, 5-5-5 Now

1Gb 64Mx16 DDR2 667 H5PS1G63JFR-Y5C FBGA(84ball) 8Bank, 1.8V, 5-5-5 Now

1Gb 64Mx16 DDR2 533 H5PS1G63JFR-C4C FBGA(60ball) 8Bank, 1.8V, 4-4-4 Now

512Mb 64Mx8 DDR2 1066 H5PS5182GFR-G7C FBGA(60ball) 4Bank, 1.8V, 7-7-7 Now

512Mb 64Mx8 DDR2 800 H5PS5182GFR-S5C FBGA(60ball) 4Bank, 1.8V, 5-5-5 Now

512Mb 64Mx8 DDR2 667 H5PS5182GFR-Y5C FBGA(60ball) 4Bank, 1.8V, 5-5-5 Now

512Mb 32Mx16 DDR2 1066 H5PS5162GFR-G7C FBGA(84ball) 4Bank, 1.8V, 7-7-7 Now

512Mb 32Mx16 DDR2 800 H5PS5162GFR-S5C FBGA(84ball) 4Bank, 1.8V, 5-5-5 Now

512Mb 32Mx16 DDR2 667 H5PS5162GFR-Y5C FBGA(84ball) 4Bank, 1.8V, 5-5-5 Now

256Mb 16Mx16 DDR2 1066 H5PS2562GFR-G7C FBGA(84ball) 4Bank, 1.8V, 7-7-7 Now

256Mb 16Mx16 DDR2 800 H5PS2562GFR-S6C FBGA(84ball) 4Bank, 1.8V, 6-6-6 Now

256Mb 16Mx16 DDR2 667 H5PS2562GFR-Y5C FBGA(84ball) 4Bank, 1.8V, 5-5-5 Now