SK hynix 所有DDR2 内存均采用FBGA封装形式，而不同于广泛应用的TSOP/TSOP-Ⅱ封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。...

SK hynix DDR3 SDRAM为了更省电、传输效率更快，使用了SSTL 15的I/O接口，运作I/O电压是1.5V，采用CSP、FBGA封装方式包装...

SK hynix eMMC 的应用是对存储容量有较高要求的消费电子产品。由一个嵌入式存储解决方案组成，带有MMC （多媒体卡）接口、快闪存储器设备及主控制器。...

该公司计划将其位于清州市的 200mm 晶圆产线移至中国，以代工中低端产品。在韩国，海力士的代工业务将专注于高附加值产品，包括 300mm 晶圆图像传感器。...

值得注意的是，SK海力士采购极紫外光刻机，在去年年底的相关报道中就已有体现。...

这回 SK 海力士所新推出的第三代 4D NAND 快闪存储器，该公司在介绍时提到产品性能达到业界最高水平，比起上一代的 128 层堆栈产品，生产率提高 35% 以上，也随之拉高在成本方面的竞争力。...