SK Hynix（海力士）和英特尔在韩国时间 10 月 20 日共同宣布签署收购协议，根据协议约定，SK 海力士将以 90 亿美元收购英特尔的 NAND 闪存及存储业务。

本次收购包括英特尔 NAND SSD 业务、NAND 部件及晶圆业务，以及其在中国大连的 NAND 闪存制造工厂。英特尔将保留其特有的英特尔®傲腾™业务。

SK 海力士与英特尔将争取在 2021 年底前取得所需的政府机关许可。在获取相关许可后，SK 海力士将通过支付第一期 70 亿美元对价从英特尔收购 NAND SSD 业务（包括 NAND SSD 相关知识产权和员工）以及大连工厂。此后，预计在 2025 年 3 月份最终交割时，SK 海力士将支付 20 亿美元余款从英特尔收购其余相关资产，包括 NAND 闪存晶圆的生产及设计相关的知识产权、研发人员以及大连工厂的员工。根据协议，英特尔将继续在大连闪存制造工厂制造 NAND 晶圆，并保留制造和设计 NAND 闪存晶圆相关的知识产权(IP)，直至最终交割日。

通过本次收购，SK 海力士旨在急速成长的 NAND 闪存领域中提升包括企业级 SSD 在内的存储解决方案相关竞争力，进一步跃升为行业领先的全球半导体企业之一。SK 海力士期待这项交易将令 SK 海力士发展存储器生态系统，进而给客户、合作伙伴、公司员工和股东带来更多利益。

英特尔作为世界半导体行业的领先者，拥有业界领先的 NAND SSD 技术以及 4 阶储存单元（quadruple level cell，QLC）NAND 闪存产品线。截止 2020 年 6 月 27 日，英特尔的 NAND 业务在今年上半年为英特尔非易失性存储器解决方案事业部（Non-volatile Memory Solutions Group, NSG）创下了约 28 亿美元的营收，以及约 6 亿美元的营业利润。

SK 海力士于 2018 年成功开发了全球首款基于电荷撷取闪存（Charge Trap Flash，CTF）的 96 层 4D NAND 闪存，并于 2019 年开发了 128 层 4D NAND 闪存。SK 海力士将结合英特尔的存储解决方案相关技术及生产能力，打造包括企业级 SSD 在内的具有高附加值的一系列 3D NAND 解决方案。

英特尔计划将本次交易获得的资金用于开发业界领先的产品和加强其具有长期成长潜力的业务重点，包括人工智能（AI）、5G 网络与智能、自动驾驶相关边缘设备。

英特尔与 SK 海力士将共同合作以确保为客户、供应商以及全体员工提供无缝衔接的顺利过渡。 两家公司将维持包括 DDR5 相关领域合作在内的两者间紧密的合作关系，保持紧密的合作，以满足日益增长的基于存储器的半导体生态系统的需求。

SK 海力士 CEO 李锡熙表示：“很高兴看到引领 NAND 闪存技术创新的 SK 海力士及英特尔 NAND 部门将共同创造崭新的未来。通过发挥双方的技术和优势，SK 海力士将主动响应客户的各种需求，并优化本公司的企业结构，进而在 NAND 闪存领域也树立与 DRAM 业务同等水准的创新的产品群。”

英特尔 CEO 司睿博强调：“我为我们所建立的 NAND 闪存业务感到自豪，并相信与 SK 海力士的结合将有助于存储器生态系统的发展，给客户、合作伙伴、全体员工带来更多利益。对于英特尔来说，这次交易能让我们更加专注于投资具有差异化特点的技术，从而令我们在客户的成功中扮演更重要的角色，并且为我们的投资者产出可观的回报。”