SK Hynix 海力士芯片生产商,源于韩国品牌英文缩写"HY",海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士。
海力士半导体在1983年以现代电子产业株式会社成立,在1996年正式在韩国上市,1999年收购LG半导体,2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团,成为专业的存储器制造商。
海力士半导体是世界第二大DRAM制造商,也在整个半导体公司中占第九位。目前在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线,在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位,中国市场占有率处于第一位。 目前在世界各地有销售法人和办事处,共有员工21000人(含海外员工)。
海力士(Hynix)半导体作为无形的基础设施,通过半导体,竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。目前,海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。
海力士半导体以超卓的技术和持续不断的研究投资为基础,每年都在开辟已步入纳米级超微细技术领域的半导体技术的崭新领域。
另外,海力士半导体不仅标榜行业最高水平的投资效率,2006年更创下半导体行业世界第七位,步入纯利润2万亿韩元的集团等,正在展现意义非凡的增长势力。海力士半导体不仅作为给国家经济注入新鲜血液的发展动力,完成其使命,同时不断追求与社会共同发展的相生经营。海力士半导体为发展成为令顾客和股东满意的先导企业,将尽心尽责,全力以赴。
2020年,通过收购英特尔的 NAND 闪存及存储业务,SK 海力士就将超过日本的 Kioxia,成为仅次于三星的全球第二大 NAND 闪存制造商,并会缩小与三星的差距。
SK海力士相信,生产优质的产品并长期延续经营、创造经济价值的前提必须建立在对社会负责、保护环境健康的基础之上。进入中国市场十余年,SK海力士一直走在行业前沿。不仅在科技、创新、技术方面不断精进发展,更是以企业的社会责任为己任,将领先的环境管理和可持续发展科技带入中国,为人类及我们的子孙后代的生活环境而不懈努力。
HBM2E 拥有超高速、高容量、低能耗等特性,是适合深度学习加速器、高性能计算机等需要高度计算能力的新一代人工智能(AI)系统的存储器解决方案。...
事发后,hynix公司立即启动应急预案,并疏散所有人员,无锡消防200多名官兵赶至现场扑救。截至18:00,明火已全部扑灭,从车间疏散出的人员中,一名人员受轻微外伤...
根据SK海力士之前指出,针对M16晶圆厂的量产计划,是将部分2022年的规划提前到2021年,原因是因应全球存储器供应吃紧。...
本次收购包括英特尔 NAND SSD 业务、NAND 部件及晶圆业务,以及其在中国大连的 NAND 闪存制造工厂。英特尔将保留其特有的英特尔®傲腾™业务。...
SK 海力士推出的 DDR5 DRAM 的数据传输速率高达 4,800 ~ 5,600Mbps,其速率相较前一代 DDR4 最多提升了 1.8 倍。...
SK hynix LPDDR (Mobile DDR SDRAM)非常适合于使用电池的移动应用,如PDA,2.5G和3G手机与互联网接入,多媒体功能,迷你笔记本电脑,手持电脑等设备。
SK hynix LPDDR2 设备的输入/输出电压由LPDDR的1.8V降为1.2V,这样一来,在保证同样的性能水平条件下,设备的耗电量比过去能降低50%以上。
SK hynix DDR提供参考时钟的上升沿和下降沿完全同步操作。数据路径内部流水线和2位预取达到非常高的带宽。所有输入和输出电压电平兼容与SSTL_2。
SK hynix SDR非常适用于需要大的存储密度和高带宽的主存储器应用。
SK hynix Nand Flash的电源电压范围为1.8~3.6V,功耗低,TSOP封装,体积小,目前最大单片容量可达512Gb,按页读写,按块擦除。
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Hynix海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的内存芯片等半导体产品,也是全球第二大 NAND 闪存制造商
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